雷清泉院士获“2021年度中国电介质物理终身成就奖”

仙仙

哈尔滨理工大学雷清泉院士获“2021年度中国电介质物理终身成就奖”。该奖项是中国物理学会电介质物理专业委员会于2014年设立的奖项，专门用于表彰为我国电介质物理理论和应用发展作出了卓越贡献的科学家，本年度全国仅2人获此殊荣。这是记者从4月9日至12日，在陕西省西安市召开的第十八届全国电介质物理、材料与应用学术会议暨第二十届全国电子元件与材料学术大会获悉的。该大会由中国物理学会电介质物理专业委员会组织召开。




据介绍，哈尔滨理工大学雷清泉院士，自20世纪60年代开始，一直在电介质理论与应用领域深耕、开拓，取得丰硕成果。他发明了新型省醌黑高聚物粉末材料的共缩聚制备新方法，发现其新的导电规律，开发了具有原始创新性的压力、温度双参数传感器，解决了国际上半导电高分子粉末材料在传感器领域长期未获应用的多项技术难题，成为此领域的开拓者，为推动其技术进步作出了重大贡献，这一科研成果获国家技术发明二等奖。2003年当选中国工程院院士。




2009年，雷清泉院士倡议召开了主题为“纳米电介质的多层次结构及其宏观性能”的第354次香山科学会议。在会议主题评述报告中雷清泉教授提出，纳米电介质研究涉及凝聚态物理学、材料科学、表面与界面科学、电气与电子科学与工程以及信息科学与工程等多学科交叉；涉及过去从未研究过的纳米电介质及相应结构这一介观领域。因此，在传统的电介质微观结构—宏观性能理论的基础上，必须加强介观或纳米尺度结构与微观结构及宏观性能之间关联作用的研究，探索建立微观结构—介观结构—宏观性能三者之间的相互关系与理论模型，这是一个跨多学科、前瞻性和挑战性的重大科学问题。


雷清泉院士出版的电介质理论方面的专著《高聚物的结构与电性能》，以及近年来在《中国电机工程学报》上撰写的关于电介质理论的基础性研究与思考的系列学术论文，已经成为我国从事工程电介质理论与应用研究的工作者所研读的经典文献。




近年来，在纳米电介质研究领域，雷清泉还创造性地提出了一维气体/Al2O3固壁纳原胞的超绝缘体原型，初步建立了纳结构电介质电子雪崩产生发展过程中微观结构—介观结构—宏观击穿性能三者之间的联系，并获得了验证。相关成果发表在国际重要学术期刊《Nano Energy》，使得电介质理论和工程应用研究不断丰富和深化。（哈尔滨理工大学供图）